Транзистор ВС в России
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558 Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС550 Характеристики транзистора BC550B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC556 B331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC256 схема BC450 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС556 Характеристики транзистора BC556B Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC640 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SA1625 схема KSA1625 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС640 Характеристики транзистора BC-640 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами....
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
-
-
-
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC639 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2N6517C схема KSC1009C характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС639 Характеристики транзистора BC639 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC807-25 5B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW68 аналог BCX17 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC807-25 Структура - p-n-p Напряжение...
В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
В комплекте 10 штук новых транзисторов BC558 транзистор (10 шт.) TO92 BC556 схема BC557 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558В Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC817-25 6B транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема BCW66 аналог FMMT620 характеристики цоколевка datasheet MOSFET ВС807-25 5В Характеристики транзистора BC817-25 Структура - n-p-n Напряжение...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов E13007-2 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог MJE13007F схема KSE13007 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора E-13007 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть...
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора:...
TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
MOSFET, N, TO-220FP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 600V Current, Id Cont 6A Resistance, Rds On 1.2ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th...
Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case...
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF530N транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK2314 схема BUZ20 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF530N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5401 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2SA709 схема 2N5551 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5401 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор
Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3205 IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог BUZ111S схема 2SK2985 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF3205 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30...
Наименование производителя: BC557A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR Ucbo=100V, Ic=5A, Pc=65W, Iceo=0,5mA, hfe=1000, complementary PNP type TIP127 Наименование производителя: TIP122 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 150...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor...
Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо...
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7805CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7805A схема LM7805CT характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Линейный стабилизатор напряжения l7805cv помогает добиться неизменной величины этого параметра в...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20...
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...