Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTS) в России
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Комплект из 10-и BC847C,215, транзистор биполярный кремниевый NPN 45В 0.1А 0.25Вт. Коэффициент усиления hFE мин. 420 Корпус SOT-23-3 (TO-236-3) Упаковка REEL, 3000 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности) количество в упаковке:...
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case...
IGBT, Icp=200A, Vce(sat)=2,3V, Pd=25W, V(br)ceo=300V GBT 30F124 — это высоковольтный и сильноточный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), используемый в приложениях силовой электроники. Он обычно используется для управления двигателем, преобразования...
Ac-38717, 5503DM, Транзистор N-канальный, TO-263, ABC, Транзисторы, Биполярные с изолированным затвором (IGBTs), ON Semiconductor,, NP-FET SMD 5503DM orig TO263 (блок управления двигателем Форд/FORD) драйвер катушек зажигания Авто блок управл. двигателем...
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement...
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением....
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус:...
В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора:...
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов....
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF540N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1116 схема HUF75623P3 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF540N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
Комплект из 10-и MMBT3904 Биполярных транзистора для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,2 А, минимальный коэффициент...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов BTA41-600B транзистор (2 шт.) TO-3P аналог CQ218I-40M схема Q4040K7 характеристики цоколевка datasheet ВТА41-600В описание Тиристор BTA41-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Тип транзистора: IGBT Маркировка: 50T65FD1 Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 235 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный...
Производство китай!! Описание Trans IRG4BC20UD Chip N-CH 600V 13A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Технические параметры Технология/семейство gen4 Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C,...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9018 J8 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог С9018 схема KTC9019 характеристики цоколевка datasheet S9018 относятся к малошумящим (NC до 4,0 дБ) широкополосным транзисторам....
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность...
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 J6 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог KSP42 схема MPSA42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более:...
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более:...
Йств Технические параметры Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ, В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора:...
2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В...
Описание Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor Технические параметры Технология/семейство field stop Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ,В 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120 Импульсный ток коллектора (Icm), А...
Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| 25℃, A: 200(pulse) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер...
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами....
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 7002 транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2N7002 аналог MMBT2907A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов P75NF75 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог STP75NF75 схема характеристики цоколевка datasheet MOSFET Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 75 Максимальный ток сток-исток при...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока...
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо...
Описание MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC558 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC560 схема BC559 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС558 Характеристики транзистора BC 558 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
В комплекте 5 штук новых транзисторов BC559 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC558 схема BC556 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС559 Характеристики транзистора BC 559 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N7000 CXE транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BS170 схема BSS138 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках,...
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора:...
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный...
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они...
Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC...
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 300 В, 15 Вт, 500 мА, 240 hFE тип: транзистор
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 40 Максимально...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRFZ44N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог 2SK1720 схема HUF75321S3S характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55...
Модуль на базе MOSFET транзистора FR120N с опторазвязкой PC817. Отлично управляется любыми контроллерами типа Arduino и Arduino совместимыми благодаря управляющему напряжению DC от 3 до 5 вольт. Модуль поставляется в...